[14a-PA4-1~5] 13.3 絶縁膜技術

[14a-PA4-4] Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性

高山 祐太郎¹、森 悠¹、〇金島 岳¹ (1.阪大基礎工)

キーワード：ゲルマニウム、表面、接触角

我々は，Ge(111)に原子マッチングするLa2O3結晶をゲート絶縁膜としてGe基板上に直接低温成長させることで，良好な電気特性を実現できることを報告している．さらに，Ge基板をヨウ素溶液に浸漬することで，MIS構造の界面準位密度を低減できることを報告した．このように，GeはSiと異なり溶液処理が電気特性改善に非常に有効であり，その条件の最適化は重要である．そこで，溶液処理プロセス中に表面変化を確認できる方法として，大気中で簡便に測定可能な接触角（濡れ性）に注目した．Siは，よく知られているように希HFで自然酸化膜がすみやかに除去され，大きな接触角を示すのに対し，Geでは全く異なり，浸漬時間と共に緩やかに接触角が大きくなり，15分程度で飽和することが分かった．さらに，表面処理後の基板の接触角が電気特性と関連することを示唆する結果を得た．