2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[14a-PA4-1~5] 13.3 絶縁膜技術

2020年3月14日(土) 09:30 〜 11:30 PA4 (第3体育館)

09:30 〜 11:30

[14a-PA4-5] Reduction of Hydroxyl in the Low-Temperature Si Oxide Films Fabricated under Various Deposition Conditions

Weiqi Zhou1、Susumu Horita1 (1.JAIST)

キーワード:Silicon oxide, CVD, Low temperature

APCVD method with silicone oil and ozone gas was used to fabricate Si oxide films. In this meeting, we will discuss about the reduction of hydroxyl that generated during deposition reaction.