[14a-PA5-1~23] 13.9 化合物太陽電池

[14a-PA5-13] Sn/Cu/NaF積層プリカーサの硫化により作製したCu₂SnS₃薄膜のNa含有量の硫化温度依存性

〇細川 陽子¹、渡邉 奏汰¹、大橋 亮太¹、大塚 招吾¹、神保 和夫¹、田中 久仁彦²、赤木 洋二³、山口 利幸⁴、中村 重之⁵、瀬戸 悟⁶、荒木 秀明¹ (1.長岡高専、2.長岡技大、3.都城高専、4.和歌山高専、5.津山高専、6.石川高専)

キーワード：Cu2SnS3、薄膜、太陽電池

希少元素や有毒元素であるInやSeを含まないCu2SnS3 薄膜太陽電池に着目した。SiO2
上に成膜したSn/Cu/NaFプリカーサを硫化することでCTS薄膜を作製し，得られたSiO2
基板上のMo/CTS薄膜を酸で溶解し，誘導結合プラズマ(ICP)発光分光分析装置を用い
てNa, Cu, Sn, S組成を測定し，CTS薄膜中のNa含有量の硫化温度に対する変化につい
て調べた。SiO2基板上のMo/CTS薄膜中に含まれるNaの量は，硫化温度に対して顕著な
依存性は示さず，1.2~2.1 at.%程度を含有していることがわかった。