9:30 AM - 11:30 AM
[14a-PA5-23] Characterization of CuBr1-xIx thin films by observation of photoluminescence
Keywords:Cu-halide, p-type transparent semiconductor, photoluminescence
現在、透明太陽電池が注目されている。その材料として透明n型半導体は広く研究されているが、透明p型半導体は研究例が少ない。そこで本研究ではCuIとCuBrの混晶であるCuBr1-xIx薄膜を作製し、フォトルミネッセンス観測を行い物性面での特性評価を行った。x=0.5の試料のPLの結果より、6 Kにおいて約2.85 eVをピークとする幅の狭いスペクトルと約2.72 eVをピークとする幅の広いピークが確認できた。