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[14a-PA5-23] フォトルミネッセンス法を用いたCuBr1-xIx薄膜の特性評価
キーワード:銅ハライド、透明p型半導体、フォトルミネッセンス
現在、透明太陽電池が注目されている。その材料として透明n型半導体は広く研究されているが、透明p型半導体は研究例が少ない。そこで本研究ではCuIとCuBrの混晶であるCuBr1-xIx薄膜を作製し、フォトルミネッセンス観測を行い物性面での特性評価を行った。x=0.5の試料のPLの結果より、6 Kにおいて約2.85 eVをピークとする幅の狭いスペクトルと約2.72 eVをピークとする幅の広いピークが確認できた。