2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.1 光学基礎・光学新領域

[14a-PB1-1~12] 3.1 光学基礎・光学新領域

2020年3月14日(土) 09:30 〜 11:30 PB1 (第1体育館)

09:30 〜 11:30

[14a-PB1-11] シリコン柱状誘電体の透過率・位相遅延量の顕微分光計測

長瀬 智保1、小川 主税1、山田 尚征1、池沢 聡1、岩見 健太郎1 (1.東京農工大学)

キーワード:シリコン柱状誘電体、透過率、位相遅延量

誘電体メタレンズをはじめとするメタサーフェスに用いられるメタ原子であるSiナノ柱の性能評価を行った.測定の結果,位相遅延量は72˚~280˚,透過率は0.08~0.76の間で直径ごとに変化していることを確認した.透過率において、ディップ位置が計算値とほぼ同様となることが確認できた.位相遅延量において直径200 nm以下では計算値と同様の挙動をしていたが,直径210 nm以上では計算値との一致が悪く,この原因の解明と測定方法の改良を行う必要がある.