[14a-PB6-1~17] 12.2 Characterization and Materials Physics

[14a-PB6-14] Ohmic contact formation at Ag/pentacene interface by ferric chloride and its application for MIS capacitor

〇Cheonmyeong Kim¹, Tomohiko Okuno¹, Kei Noda¹ (1.Keio Univ.)

Keywords:ultra-low doping, ferric chloride, contact doping

以前の本グループの発表において、MIS 構造作成時に 真空蒸着によってトップコンタクト電極を形成する際には、有機膜への損傷を抑制する上 で、一般的に用いられる Au よりも融点の低い Ag の使用が望ましいと報告した。しかし、 Ag は仕事関数が小さいため、ペンタセンをはじめとする多くの有機半導体膜との界面でキ ャリア注入障壁が大きくなりやすい。そこで今回、塩化鉄(FeCl3)をアクセプタドーパント として用いることで、Ag/ペンタセン界面におけるオーミック接触形成を試みると共に、そ れを MIS キャパシタに適用し、C―V 測定を通じて、微量の FeCl3 がドープされたペンタ セン膜におけるキャリア密度評価を実施した。