[14p-A201-1~8] Nano-cybernetics of interface bonded at room or low temperature and ultra thin films at heterojunction interface

[14p-A201-6] In situ synchrotron X-ray reciprocal space mapping in heteroepitaxial growth

〇Takuo Sasaki¹, Masamitu Takahasi¹ (1.QST)

Keywords:synchrotron radiation, reciprocal space mapping, heteroepitaxial growth

ヘテロ構造における材料選択の自由度は格子定数によって制限されるため、必ずしも自由なバンドギャップエンジニアリングができるわけではない。格子定数に捕らわれない結晶の利用、すなわち格子不整合系半導体材料の成長と応用が実現できれば、デバイスデザインの幅は格段に広がる。そのためには、格子不整合に起因する転位の生成や運動とそれに伴うひずみ緩和の素過程を理解することは極めて重要であり、これにより転位密度の低減技術の開発に繋がることが期待できる。本講演は、ヘテロエピ成長におけるひずみ緩和の素過程を解明するために確立した放射光その場X線逆格子マッピング（in situ reciprocal space mapping: in situ RSM）を用いて、InGaAs/GaAs(001)、InGaN/GaN(0001)に適用した結果を報告する。