[14p-A201-1~8] 低温（常温）接合界面及び薄膜成長界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[14p-A201-7] GaNによるpn接合ダイオード中の欠陥観察と逆方向リーク電流源の解明

〇本田 善央^1,2、田中 敦之^1,3、川崎 晟也⁴、出来 真斗¹、天野 浩^1,5,6 (1.名古屋大未来研、2.名古屋大高等研究院、3.物材機構、4.名古屋大工、5.名古屋大VBL、6.名古屋大ARC)

キーワード：多光子励起顕微鏡、GaN pnダイオード、キラー欠陥

GaN結晶には多くの転位が存在しておりパワーデバイスの信頼性の低下を引き起こす。しかしながら転位の相関に関しては十分に議論がされていない。本研究では、多光子顕微鏡により転位を可視化しTEMと連動させることで広い範囲での欠陥の空間的な評価を可能とした。さらにピュア螺旋転位の存在と螺旋転位から成長経過中におけるナノパイプへの変換された欠陥がpnダイオードの逆方向耐圧でのキラー欠陥であることを突き止めた。