[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-A302-11] Growth of Mg-doped GaN layer using ceramics impregnating impurities by halide vapor phase epitaxy

〇Yuki Amano¹, Kazuki Ohnishi¹, Naoki Fujimoto², Hirotaka Watanabe², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ., 4.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:HVPE, GaN

HVPE法は, 一般的なデバイス作製に用いられるMOVPE法と比べて, 炭素不純物の混入量の低減が可能となる点および成長速度がはやくGaNの厚膜化が容易である点から, 縦型パワーデバイス構造の成長法として期待できる. しかし, HVPE法によるp型伝導制御の報告例は少なく, 安定した伝導制御はできていない. 本研究では, Mgが含浸したセラミックスを用いることによるGaNへのMgドーピング手法を検討した.