[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-11] HVPE法による不純物含浸セラミックスを用いたMg添加GaN成長

〇天野 裕己¹、大西 一生¹、藤元 直樹²、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長法、窒化ガリウム

HVPE法は, 一般的なデバイス作製に用いられるMOVPE法と比べて, 炭素不純物の混入量の低減が可能となる点および成長速度がはやくGaNの厚膜化が容易である点から, 縦型パワーデバイス構造の成長法として期待できる. しかし, HVPE法によるp型伝導制御の報告例は少なく, 安定した伝導制御はできていない. 本研究では, Mgが含浸したセラミックスを用いることによるGaNへのMgドーピング手法を検討した.