[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-13] THVPE法を用いたInGaN厚膜成長における緩和状態の制御

〇日永田 亮平¹、江間 研太郎¹、村上 尚¹、纐纈 明伯¹ (1.農工大院工)

キーワード：窒化インジウムガリウム、トリハライド気相成長法

原料に金属三塩化物を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法によるInGaN 成長における緩和状態の制御を試みた。直径、パターン間隔の異なる2種類のコーン型PSSを用いてGaN 中間層を挿入することでInGaN 厚膜成長を行い、InGaN成長層の緩和率を比較・調査した。その結果、GaN中間層の結晶品質や応力の状態を変化させることにより、InGaN層の緩和状態を制御できる可能性が示された。