[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14p-A302-4] Naフラックス・ポイントシード法におけるLi添加系での透明なGaN結晶の成長

〇中島 達彦¹、山田 拓海¹、村上 航介¹、今西 正幸¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：Naフラックス法、GaN