[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14p-A302-6] Dynamic温度成長条件によるNaフラックス中の窒素高濃度化

〇(M1)リクセン タンドリーヨ¹、村上 航介¹、山田 拓海¹、北村 智子¹、今西 正幸¹、吉村 政志²、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス、窒素

Naフラックス法は高品質GaN基板作製に有望な技術であるが、成長速度が大きな課題である。成長速度を決める要因であるフラックス中の窒素溶解量に関する理解は未熟であった。近年開発した4端子電気抵抗測定法によりフラックス中の窒素溶解量モニタリングの実証を報告した^[1]。本手法により、窒素溶解挙動に関する調査が可能になり、窒素溶解量の時間依存性や温度依存性等^[1,2]、これまでになかった知見が得られつつある。本研究では、フラックスの電気抵抗測定により得られた知見を活かし、高過飽和状態を短時間で到達させるために育成中の温度を変化させることが効果的であること分かったため報告する。NaフラックスGaN結晶成長に応用することで、成長速度を促進させることが可能である。