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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月14日(土) 13:45 〜 18:45 A302 (6-302)

斉藤真(東北大)、村上尚(農工大)、新田州吾(名大)

15:45 〜 16:00

[14p-A302-8] 【注目講演】GaN自立基板の高品質化技術-マスクレス3D法の実現

〇吉田丈洋¹ (1.サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム基板、ハイドライド気相成長法