[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-9] マスクレス3D法により作製したGaN自立基板の特性

〇吉田 丈洋¹ (1.サイオクス)

キーワード：窒化ガリウム基板、ハイドライド気相成長法