[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-A303-1] ミスト CVD 法による HfxZr1-xO2薄膜の作製とその電気的特性

〇(B)藤原 悠希¹、田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：二酸化ハフニウムジルコニウム、ミストCVD、強誘電体

ミストCVD法を用いてn⁺-Si(100)上に製膜温度400℃で20 nm厚Hf_xZr_1-xO₂(HZO)薄膜を初めて作製した。その諸特性のZr組成比依存性について評価した。GIXRDからZr組成に応じたHZO結晶ピーク位置のシフトが観察された。Pt/HZO/n⁺-Si積層キャパシタのP-E特性から強誘電性ヒステリシスが観察され、P(E=0)の同依存性からx=0.5付近で2Pが極大となった。