[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-A303-12] 強誘電体FETのMOS界面における電荷分布の評価とデバイス動作の理解

〇トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：強誘電体FET、評価手法、デバイス動作

FeFETはMOSFETに強誘電体ゲート絶縁膜を用いることで状態記憶をはじめとする特性を持たせられる素子である。盛んに研究されているのにもかかわらず、10 uC/cm²以上の自発分極をもつ強誘電絶縁膜がどのように半導体の界面に電荷を誘起しているかを含めて、デバイス動作はまだ明らかになっていない。本研究はMOS界面における電荷分布の新規の評価手法を提案し、FeFETのデバイス動作を検証する。