[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-A303-13] 強誘電体トンネル接合メモリの大規模集積化に向けた設計に関する検討

〇吉村 英将¹、莫 非¹、平本 俊郎¹、小林 正治^1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード：メモリ、強誘電体

大容量・低消費電力な不揮発性メモリとして、強誘電体トンネル接合メモリ（FTJ)が注目されている。FTJは電流電圧特性に非対称性・非線形性をもつことが予想され、セレクタなしでメモリを構成できる可能性がある。そこで本研究では、数値計算による手法でFTJの電流電圧特性を計算し、デバイス構造が特性に与える影響を系統的に調べた。