[14p-A303-1~14] 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[14p-A303-14] Potential and challenges of HfO₂FeRAM for low-voltage operation

〇Shinji Migita¹, Hiroyuki Ota¹, Yukinori Morita¹ (1.AIST)

Keywords:FeRAM, HfO2, low-voltage operation

HfO₂系強誘電体の動作電圧Vmaxを低減しなければならい。そのためには膜厚を薄くする必要がある。単純に計算すれば膜厚を半分にすればVmaxも半分になるが、実際には複雑な問題がいくつか存在する。抗電界の膜厚依存性、結晶相の制御、そしてトンネル電流の増加である。