[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-A303-14] HfO₂系強誘電体FeRAMの低電圧動作の可能性と課題

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、森田 行則¹ (1.産総研)

キーワード：強誘電体メモリ、HfO2、低電圧動作

HfO₂系強誘電体の動作電圧Vmaxを低減しなければならい。そのためには膜厚を薄くする必要がある。単純に計算すれば膜厚を半分にすればVmaxも半分になるが、実際には複雑な問題がいくつか存在する。抗電界の膜厚依存性、結晶相の制御、そしてトンネル電流の増加である。