2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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コードシェアセッション » 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェア

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A303 (6-303)

藤村 紀文(阪府大)、徳光 永輔(北陸先端大)

14:00 〜 14:15

[14p-A303-2] 溶液塗布熱分解法の繰返しによる強誘電相Hf0.5Zr0.5O2積層膜の特性

〇(M1)大田 宗司1、井上 泰一1、広藤 裕一1、小池 一歩1、矢野 満明1 (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード:酸化物半導体、溶液塗布熱分解方法、酸化ハフニウムジルコニウム

我々は,マイクロアクチュエータや圧電センサに向けて,低コスト成膜法で有名な溶液塗布熱分解法(ゾル・ゲル法)を繰り返してHZO積層膜を作製した.乾燥(大気雰囲気)までの繰り返し成膜では非強誘電相monoclinic構造が支配的となったが,焼成(窒素雰囲気)までの繰り返し成膜では膜厚の増加に関係なく,強誘電相orthorhombic構造を維持している結果が得られたことを報告する.