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コードシェアセッション » 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A303 (6-303)

藤村紀文(阪府大)、徳光永輔(北陸先端大)

14:45 〜 15:00

△ [14p-A303-5] スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性評価

〇(PC)志村礼司郎¹、三村和仙¹、舘山明紀¹、清水荘雄¹、舟窪浩¹ (1.東工大物院)

キーワード：強誘電体、酸化ハフニウム