2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A305 (6-305)

池上 浩(九大)、曽根 正人(東工大)

14:15 〜 14:30

[14p-A305-3] 電子線照射による液体シリコンの固体化

森 雅弘1、富取 正彦1、増田 貴史1 (1.北陸先端大)

キーワード:液体シリコン、電子線

液体Siとは常温常圧で液体、360℃加熱で非晶質Si(a-Si)になる物質である。この材料は気体Si(シランガス)および固体Si(ウェハ)とは異なるアプローチからSi半導体の科学技術を切り拓くと期待されている。一方で高い加熱温度(360℃)を必要とすることが、その学術展開を制約してきた。本研究の目的は、電子線照射による非加熱での「液体Si→ a-Si」変換の実証である。