[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [14p-A305-4] 水素プラズマによる固体SiからのオンサイトSi₂H₆生成

〇(M2)浜中 恵一¹、谷口 大介¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹、大参 宏昌¹ (1.阪大院工)

キーワード：プラズマ、ジシラン、シリコン

本研究では、固体Siと水素プラズマの反応により、SiH₄に比べ高付加価値なSi₂H₆のオンサイト生成を狙い、種々のプロセス条件を変化させた際のSi₂H₆生成挙動を調査するとともに、ボンベ供給されるSiH₄をプラズマ中で処理した際のSi₂H₆生成挙動との比較により、本手法におけるSi₂H₆生成機構を検討した。その結果、固体Si表面上での反応がSi₂H₆の生成に大きく寄与することを示唆する結果を得た。