[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14p-A305-8] パルス光伝導法による非破壊界面準位密度測定技術の開発

〇山下 拓真¹、阿部 成海¹、熊谷 祐希¹、尾花 宏樹¹、濱田 樹²、吉井 稜²、久保田 弘¹、橋新 剛¹、吉岡 昌雄² (1.熊大大院、2.熊大)

キーワード：パルス光伝導法、界面準位

近年、イメージセンサーなどの半導体デバイスのデバイスサイズは小型化が進んでおり、半導体と絶縁体の界面状態はデバイスに悪影響を及ぼす。現在の技術ではデバイスの製造プロセスが完了した後に界面状態の数を測定する必要があり、絶縁膜を形成した後の界面の状態を知るには時間がかかる。そのため、パルス光伝導法を用いた短時間で非破壊非接触で測定技術の確立を目指す。