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[14p-A402-5] バックコンタクト型結晶Si太陽電池モジュールのPIDにおける光照射の影響
キーワード:電圧誘起劣化、バックコンタクト型、c-Si PVモジュール
IBC型 c-Si太陽電池モジュールの負電圧印加でのPIDと光照射の影響について調査した.光照射の有無によらず,VocとJscの低下が確認され,FFは変化しなかった.また,光照射の有無により,JscとVocの低下の程度に著しい差が現れた.EQEスペクトルにおいて,光照射無しのモジュールの方が,PID試験後により大きな低下を示した.したがって,IBCモジュールには,光照射によるPIDの遅延効果のあることを明らかにした.