[14p-A403-1~19] 17.2 グラフェン

[14p-A403-19] h-BNで部分的に覆われたCu上のグラフェン成長初期過程の理論

〇影島 博之¹、Wang Shengnan²、日比野 浩樹³ (1.島根大、2.NTT物性基礎研、3.関西学院大)

キーワード：グラフェン、CVD成長、第一原理計算

グラフェンは半導体であるがh-BNは絶縁体であるため、これら2つの物質の横方向・縦方向のヘテロ構造を自由自在に作ることができれば、エレクトロニクス応用で新しい世界を切り開くことができる。このようなヘテロ構造をCVD法によってボトムアップ的に制御して形成することがどの程度可能であるのかを知る助けとして、我々はh-BNで部分的に覆われたCu(111)表面上でのグラフェン成長の初期過程を第一原理計算を用いて検討してきた。前回に引き続き、今回はその後の検討の進展について報告する。