[14p-A404-10~19] 17.3 層状物質

[14p-A404-16] p⁺-MoS₂を用いたWSe₂へのvdWコンタクト作製

〇竹山 慶¹、守谷 頼¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司²、谷口 尚^1,2、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物質機構、3.CREST-JST)

キーワード：二次元層状物質、遷移金属ダイカルゴゲナイド

WSe₂はTMDの一種であり遠赤外光領域で作動する光デバイスの材料として注目を集めている。しかし蒸着した金属では良好なコンタクトをとることが難しい。本研究ではp⁺-MoS₂によるvdWコンタクトを採用することでWSe₂へのオーミックなコンタクトの作製を実現した。