2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[14p-A404-1~9] 17.2 グラフェン

2020年3月14日(土) 13:45 〜 16:15 A404 (6-404)

中野 匡規(東大)

14:30 〜 14:45

[14p-A404-3] バブルフリー転写法による高品質グラフェン/hBN素子の作製

岩崎 拓哉1、遠藤 滉亮1,2、渡辺 英一郎1、津谷 大樹1、守田 佳史3、中払 周1、野口 裕2、若山 裕1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、森山 悟士1 (1.物材機構、2.明治大、3.群馬大)

キーワード:二次元材料転写法、グラフェン/hBN積層ヘテロ構造、量子ホール効果

二次元材料積層構造を作製する従来のスタンプ転写工程においては、二次元材料間に意図しない気泡が入ってしまい、素子構造および品質が制限されてしまう問題点がある。本研究では、高品質グラフェン/hBN積層素子を作製するための、積層構造中に気泡が入らないバブルフリー転写法を報告する。