[14p-A404-1~9] 17.2 グラフェン

△ [14p-A404-5] グラフェン量子輸送特性から見たh-BN結晶中不純物過多領域の影響評価

〇小野寺 桃子¹、渡邊 賢司²、諌山 都¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、谷口 尚²、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：グラフェン、六方晶窒化ホウ素、輸送特性

高圧高温合成（HPHT） 法によって合成された六方晶窒化ホウ素（h-BN）結晶の中心部に形成される炭素不純物濃度の高い領域（ドメイン）がグラフェンの電気伝導特性に及ぼす影響を明らかにするため、ドメイン上グラフェンの電気伝導特性評価を行った。ドメイン内においてはグラフェンの移動度が低下しキャリア不均一の値が増大したほか、縦抵抗のランダウファンダイアグラムの電子ドープ側において特徴的な曲がりが見られた。