[14p-A405-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-A405-7] Sb ドープGe_1−x−ySi_xSn_y 三元混晶薄膜の熱電物性制御

〇中田 壮哉¹、詹 天卓²、富田 基裕²、渡邉 孝信²、中塚 理^1,3、黒澤 昌志^1,4 (1.名大院工、2.早大理工、3.名大未来研、4.名大高等研究院)

キーワード：GeSiSn、熱電発電