[14p-A410-1~9] 有機トランジスタ：新たなるフロンティアを目指して

[14p-A410-8] source-gated構造によるn型有機トランジスタの高利得化

〇(B)逸見 悠大¹、Radu A. Sporea²、竹田 泰典¹、松井 弘之¹、時任 静士¹ (1.山形大ROEL、2.University of Surrey)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、ショットキーバリアトランジスタ、n型有機半導体

電界効果トランジスタ(FET)の一種であるsource-gatedトランジスタ(SGT)では、ソース電極と有機半導体の間に意図的にショットキー接合を形成し、ソース電極近傍の空乏層によって電流を制御する。SGTの利点は、低電圧でのピンチオフによる低消費電力動作および、高い出力抵抗に伴う高い固有利得である。近年、p型有機半導体C8-BTBTを使用したSGTによって、低消費電力と非常に高い利得の増幅回路が報告されているが、n型有機SGTの報告例は無い。今回我々は、n型有機SGTの作製に初めて成功した。