Low-current spin-orbit torque switching of W/CoFeB/MgO nanodots by tuning W resistivity

Kaito Furuya; Yutaro Takeuchi; Butsurin Jinnai; Shunsuke Fukami; Ohno Hideo

講演情報

一般セッション(口頭講演)

コードシェアセッション » 【CS.7】 10.1 新物質・新機能創生（作成・評価技術）、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[14p-A501-1~12] 【CS.7】 10.1 新物質・新機能創生（作成・評価技術）、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2020年3月14日(土) 15:45 〜 19:00 A501 (6-501)

窪田崇秀(東北大)、田辺賢士(豊田工業大学)

15:45 〜 16:00

▼ [14p-A501-1] Low-current spin-orbit torque switching of W/CoFeB/MgO nanodots by tuning W resistivity

〇Kaito Furuya¹、Yutaro Takeuchi¹、Butsurin Jinnai²、Shunsuke Fukami^1,2,3,4,5、Ohno Hideo^1,2,3,4,5 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、3.CIES, Tohoku Univ.、4.CSRN, Tohoku Univ.、5.CSIS, Tohoku Univ.)

キーワード：spin-orbit torque, spin Hall effect, spintronics

We report reduction of magnetization switching current in three-terminal MRAM by increasing spin orbit torque efficiency.