[14p-B309-1~18] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

△ [14p-B309-16] Fabrication and evaluation of Si light-emitting diode of 2 μm-wavelength using dressed photons

〇Takuya Kadowaki¹, Tadashi Kawazoe², Motoichi Ohtsu³ (1.Nichia Corp., 2.Tokyo Denki Univ., 3.Research Origin for Dressed Photon)

Keywords:Dressed photon, Si, LED

間接遷移型のSiを用いて波長2μmのLEDを作製した。この素子は従来の直接遷移型とは異なりドレスト光子の中間準位を介した発光で、発光波長がバンドギャップに依存せず、DPPアニールと呼ばれるプロセス時の照射光波長で決まる。
波長2μm帯での発光スペクトル特性を評価し、これにより発光機構がフォノンの寄与による側波帯の発光であることを確認したので報告する。