[14p-B309-1~18] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

△ [14p-B309-16] ドレスト光子を用いた波長2μmのSi発光ダイオードの作製と評価

〇門脇 拓也¹、川添 忠²、大津 元一³ (1.日亜化学、2.東京電機大、3.ドレスト光子研究起点)

キーワード：ドレスト光子、シリコン、発光ダイオード

間接遷移型のSiを用いて波長2μmのLEDを作製した。この素子は従来の直接遷移型とは異なりドレスト光子の中間準位を介した発光で、発光波長がバンドギャップに依存せず、DPPアニールと呼ばれるプロセス時の照射光波長で決まる。
波長2μm帯での発光スペクトル特性を評価し、これにより発光機構がフォノンの寄与による側波帯の発光であることを確認したので報告する。