[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-1] GaN-MOSFETにおける移動度特性の温度依存性

〇上野 勝典¹、松山 秀昭¹、稲本 拓朗¹、田中 亮¹、福島 悠太¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機（株）)

キーワード：GaN、MOSFET、移動度

GaN-MOSFETの移動度制限要因を調べるため、その温度依存性を調べて、フィッティングを試みた。得られた実効移動度は温度の低下とともに低電界側では移動度が低下するが、高電界側では上昇する傾向となっている。これは低電界側がクーロン散乱、高電界側が音響フォノンあるいは光学フォノンの散乱による寄与があるためと推定される。移動度の異なるサンプルによる違いについても議論する。