2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2020年3月14日(土) 13:30 〜 18:15 B401 (2-401)

末光 哲也(東北大)、佐藤 威友(北大)

16:15 〜 16:30

[14p-B401-10] 表面活性化接合によって作製したGaN-on-Diamond HEMTの特性評価

滝口 雄貴1、檜座 秀一1、藤川 正洋1、西村 邦彦1、柳生 栄治1、松前 貴司2、倉島 優一2、高木 秀樹2、山向 幹雄1 (1.三菱電機、2.産総研)

キーワード:窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ダイヤモンド

GaN-HEMTの動作時チャネル温度上昇低減のため、高熱伝導材料であるダイヤモンドを用いたGaN-HEMTが報告されている。本報告では、表面活性化接合を用いて作製したダイヤモンド基板上GaN HEMTの電気特性評価・通電発熱温度評価の結果を、一般的なSi基板上のGaN HEMTと表面活性化接合を用いて作製したSiC基板上GaN HEMTと比較しながら報告する。