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[14p-B401-10] 表面活性化接合によって作製したGaN-on-Diamond HEMTの特性評価
キーワード:窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ダイヤモンド
GaN-HEMTの動作時チャネル温度上昇低減のため、高熱伝導材料であるダイヤモンドを用いたGaN-HEMTが報告されている。本報告では、表面活性化接合を用いて作製したダイヤモンド基板上GaN HEMTの電気特性評価・通電発熱温度評価の結果を、一般的なSi基板上のGaN HEMTと表面活性化接合を用いて作製したSiC基板上GaN HEMTと比較しながら報告する。