[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-10] 表面活性化接合によって作製したGaN-on-Diamond HEMTの特性評価

〇滝口 雄貴¹、檜座 秀一¹、藤川 正洋¹、西村 邦彦¹、柳生 栄治¹、松前 貴司²、倉島 優一²、高木 秀樹²、山向 幹雄¹ (1.三菱電機、2.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、ダイヤモンド

GaN-HEMTの動作時チャネル温度上昇低減のため、高熱伝導材料であるダイヤモンドを用いたGaN-HEMTが報告されている。本報告では、表面活性化接合を用いて作製したダイヤモンド基板上GaN HEMTの電気特性評価・通電発熱温度評価の結果を、一般的なSi基板上のGaN HEMTと表面活性化接合を用いて作製したSiC基板上GaN HEMTと比較しながら報告する。