[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [14p-B401-6] AlGaN/GaN MIS-HEMTs using 4-nm-thick Al₂O₃ Dielectric Deposited by Mist Chemical Vapor Deposition

〇(M1)RuiShan Low¹, Shinsaku Kawabata¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹, Zenji Yatabe², Kenta Naito², Kazuki Nishimura², Yusui Nakamura² (1.Fukui Univ., 2.Kumamoto Univ.)

Keywords:Mist CVD, AlGaN/GaN MIS-HEMT

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代パワー半導体として期待されている。AlGaN/GaN HEMTにおいてゲートリーク電流抑制のためには金属-絶縁体-半導体(MIS)構造は必須である。近年、ミストCVD法によりALD法と同等の膜質を有するAl₂O₃アモルファス薄膜を形成することに成功している。本研究ではミストCVD法を用いた4-nm Al₂O₃ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MISキャパシタとAlGaN/GaN MIS-HEMTを試作し、容量-電圧(C-V)特性、伝達特性と出力特性について評価したので報告する。