[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-B401-6] ミストCVD法による4-nm Al₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

〇(M1)Low RuiShan¹、河端 晋作¹、Asubar Joel¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹、谷田部 然治²、内藤 健太²、西村 和樹²、中村 有水² (1.福井大院工、2.熊大院自)

キーワード：ミストCVD法、AlGaN/GaN MIS-HEMT

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代パワー半導体として期待されている。AlGaN/GaN HEMTにおいてゲートリーク電流抑制のためには金属-絶縁体-半導体(MIS)構造は必須である。近年、ミストCVD法によりALD法と同等の膜質を有するAl₂O₃アモルファス薄膜を形成することに成功している。本研究ではミストCVD法を用いた4-nm Al₂O₃ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MISキャパシタとAlGaN/GaN MIS-HEMTを試作し、容量-電圧(C-V)特性、伝達特性と出力特性について評価したので報告する。