[14p-B408-1~16] 3.1 光学基礎・光学新領域

[14p-B408-13] 光捕捉されたポリスチレン粒子による散乱電場増強とその配列自己形成

〇横山 知大¹、松浦 朋輝²、垰 幸宏¹、石原 一^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪府大院工)

キーワード：光マニピュレーション、光圧、ポリスチレン粒子

本研究では、集光レーザーの照射によって集光スポットよりも広域的に形成されたポリスチレン粒子配列からの散乱光の電場増強とその空間構造を理論的に議論する。粒子配列が六方格子配列の場合、散乱光は６方向に、四角格子配列の場合は4方向に散乱光の増強ピークを示す。これらの光電場から各粒子にはたらく光圧を計算すると、散乱場の空間構造に沿った「角」の形成を支持する結果を得た。