[14p-B415-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

△ [14p-B415-10] 一方向出射が可能なSi上集積量子ドット単一光子源の作製と評価

〇(D)勝見 亮太^1,2,3、太田 泰友⁴、田尻 武義²、角田 雅弘⁴、岩本 敏^1,2,4、秋山 英文³、荒川 泰彦⁴ (1.東大先端研、2.東大生研、3.東大物性研、4.東大ナノ量子機構)

キーワード：単一光子源、シリコンフォトニクス、転写プリント法

シリコン(Si)フォトニクスを活用した量子光回路は、大規模化の観点から極めて有望である。一方、スケーラブルなSi量子光回路を実現する上で、高効率かつ決定論的に動作可能な固体量子光源の集積は重要な課題の1つである。本課題の解決を目指し、我々は半導体量子ドット(QD)単一光子源の転写プリント法に基づくSi上ハイブリッド集積を進めてきた。ところが、今まで検討していた光源構造は、その空間対称性から光子が導波路両側に出射されるという課題があった。そこで前回、Si上集積QD光源において、転写プリント法に付随する作製誤差の下でも光子の高効率な導波路結合(>99%)と一方向出射が可能な光構造の設計を報告した。今回、設計した構造を同手法により作製し、光子の一方向出射と単一光子性の観測に成功したので報告する。