[14p-D215-1~7] 【CS.5】 Code-sharing Session of 7.4 & 9.5

[14p-D215-4] Study on growth condition of single domain Bi₂Te₃ by pulsed laser deposition

〇Yusuke Tanaka¹, Yoji Kunihashi¹, Haruki Sanada¹, Hiroo Omi¹, Takehiko Tawara¹, Katsuya Oguri¹, Hideki Gotoh¹ (1.NTT BRL)

Keywords:topological insulator, thin film, pulsed laser deposition

トポロジカル絶縁体はバンドギャップ中にディラック錐状の表面金属状態を有する特異な絶縁体である。特に、近年ではトポロジカル絶縁体と他材料との近接効果による様々な物性発現を目指した研究が盛んに行われている。ヘテロ構造の作製にはトポロジカル絶縁体薄膜の単相化が極めて重要であるが、面内方向に複数の異なるドメインを形成することが知られている。本研究ではPLD装置によってBi₂Te₃薄膜を成長しシングルドメイン化に向けた成長条件の最適化について検討したのでこれを報告する。