[14p-D215-1~7] 【CS.5】 7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

[14p-D215-4] PLD法による単相Bi₂Te₃薄膜の作製に向けた成長条件の検討

〇田中 祐輔¹、国橋 要司¹、眞田 治樹¹、尾身 博雄¹、俵 毅彦¹、小栗 克弥¹、後藤 秀樹¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：トポロジカル絶縁体、薄膜、パルスレーザー堆積法

トポロジカル絶縁体はバンドギャップ中にディラック錐状の表面金属状態を有する特異な絶縁体である。特に、近年ではトポロジカル絶縁体と他材料との近接効果による様々な物性発現を目指した研究が盛んに行われている。ヘテロ構造の作製にはトポロジカル絶縁体薄膜の単相化が極めて重要であるが、面内方向に複数の異なるドメインを形成することが知られている。本研究ではPLD装置によってBi₂Te₃薄膜を成長しシングルドメイン化に向けた成長条件の最適化について検討したのでこれを報告する。