[14p-D221-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-D221-13] ナノダイヤモンドへの欠陥導入と熱処理について

〇阿部 浩之¹、小野田 忍¹、大島 武¹ (1.量研高崎)

キーワード：ナノダイヤモンンド、欠陥導入、窒素ー空孔センター

量子センサー・イメージングとして期待されるナノダイヤモンド中のNV（窒素―空孔）センターは、より効率的にNVセンターを導入することに加え、量子性の優れたナノダイヤ中NVセンター形成技術が求められている。我々は今までにナノダイヤモンドに電子線照射と熱処理により高発光強度のNVセンター形成技術の最適化を図ってきた。そのようにして作製したナノダイヤモンドの表面に対して、生体導入に適した化学処理を施す必要がある。本研究では、電子線照射量と熱処理条件をさらに突き詰め、それら種々の条件や表面化学処理とNVセンター形成への影響を調べた。