[14p-D221-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-D221-4] C₅N₅H₅イオン注入によるNVセンターの形成

〇木村 晃介^1,2、樋口 泰成^1,2、小野田 忍²、加田 渉¹、薗田 隆弘³、川原田 洋³、渡邊 幸志⁴、磯谷 順一⁵、花泉 修¹、大島 武² (1.群馬大、2.量研、3.早稲田大、4.産総研、5.筑波大)

キーワード：アデニンイオン、NVセンター、イオン注入

室温で優れた磁気光学特性をもつ量子ビットとしてのダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターの多量子化を目的に有機化合物イオン注入法を改良した。NVセンター形成によく用いられるイオン注入法において、窒素クラスターのイオン化が容易でないことが課題であった。これに対し、有機化合物(C₅N₄H_n)イオンを用いることで、局所に複数のNVセンターが形成できている。C₅N₄H_nよりさらに窒素を多く含む有機化合物を用いることで、さらなる多量子化が期待できる。本研究では、新たに開発したC₅N₅H₅イオン注入を開発し、共焦点顕微鏡観察により最大で3個のNVセンター形成が確認されたことを報告する。