[14p-D221-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-D221-5] 電子線照射によるNVセンター形成へのP1濃度による影響

〇小野田 忍¹、佐伯 誠一¹、増山 雄太¹、石井 秀弥¹、宮川 仁²、谷口 尚²、渡邊 賢司²、寺地 徳之²、上坪 優希³、関口 武治³、波多野 睦子^1,3、磯谷 順一⁴、大島 武¹ (1.量研、2.物材機構、3.東工大、4.筑波大)

キーワード：NVセンター、電子線照射、電子スピン共鳴

電子線照射を用いればダイヤモンド中のNV（窒素・空孔）センターを高濃度に作成することができる。2 MeV電子線によって導入した原子空孔と窒素不純物（P1センター）を熱処理によって結合させてNVセンターを形成し、NVセンターの電荷状態や総量と照射量の関係を調べた。初期のP1センター濃度が0.8 ppmの試料ではNV⁰とNV^-が形成され、100 ppmの試料ではNV^-のみが形成された。