[14p-D519-1~9] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14p-D519-9] Electronic structure of fullerene adsorbed on Bi/GaSb(110)-(2×1)

〇Takuto Nakamura¹, Yoshiyuki Ohtsubo¹, Tatsuki Asuka¹, Hiroshi Watanabe¹, Patrick Le Fevre², Francois Bertran², Shin-ichi Kimura¹ (1.Osaka Univ., 2.Synchrotron SOLEIL)

Keywords:ARPES, Rashba effect, electronic structure

Rashba効果によるスピン偏極した表面電子状態をスピントロニクスへ応用するためには、スピン偏極状態を壊さずにスピン伝導層などの異種材料との界面に埋め込むことが重要である。本研究では、有機分子であるフラーレンを、スピン偏極擬一次元電子状態を持つBi/GaSb(110)-(2×1)表面に吸着させ、電子状態の変化を角度分解光電子分光により観測した。その結果、スピン偏極電子状態の大きな変調が起きずに、フラーレンが表面に吸着することが分かった。