[14p-PA1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス

[14p-PA1-23] 50 nm厚Cr₂O₃薄膜を用いた電気磁気効果誘起交換バイアス反転

〇白土 優¹、豊木 研太郎¹、陶 亦然¹、青野 晃¹、中谷 亮一¹ (1.阪大工)

キーワード：電気磁気効果、Cr2O3薄膜、交換バイアス

反強磁性体は，超高速スピンダイナミクスや非干渉磁気メモリなどスピントロニクス・ナノ磁気デバイスの機能を革新的に飛躍させる可能性をもつが，磁場やスピン偏極電流による磁性制御が困難である．我々は，反強磁性スピンの制御方法として電気磁気効果に着目し，Cr₂O₃薄膜の電気磁気効果に基づいた反強磁性ドメイン制御と，それに基づく垂直交換バイアスの極性反転等に関して研究を進めてきた．本手法における課題の一つは，ME効果を発現するCr₂O₃薄膜の低膜厚化にあり、本研究では、50 nm膜厚のCr₂O₃薄膜を用いたME効果の発現について報告する．