[14p-PA1-1~74] 10 Spintronics and Magnetics

[14p-PA1-3] Sign changes of anisotropic magnetoresistance effect in Co₂MnGa Heusler alloy epitaxial thin films by current direction

〇Takashi Sato¹, Satoshi Kokado², Masahito Tsujikawa³, Tomoyuki Ogawa³, Satoru Kosaka¹, Masafumi Shirai³, Masakiyo Tsunoda³ (1.Toyota Central R&D Lab., 2.Shizuoka Univ., 3.Tohoku Univ.)

Keywords:Co2MnGa, Heusler alloy, anisotropic magnetoresistance effect

Co₂MnGaエピタキシャル薄膜においてAMR効果の電流方向による符号変化を検討した。AMR比は電流方向によって符号が変化し、Co含有量50 at%付近で極大となった。これらの変化は、第一原理計算および結晶場を考慮したs-d散乱に基づいた理論式から算出したAMR比とよく一致した。すなわちCo₂MnGa膜のAMR効果は、フェルミ準位上での結晶場分裂したd軌道の状態密度に依存していると考えられる。